Společnost Samsung před několika dny představila svou vlajkovou loď, kterou se bude snažit nalákat nové zákazníky a zastavit odliv uživatelů k platformě iOS. Jihokorejský výrobce však v posledních dnech představil ještě jednu zajímavou novinku z oblasti hardwaru, která se s nejvyšší pravděpodobností stane součástí dalšího iPhonu. Podle oficiálního blogu se inženýrům podařilo vyvinout novou generaci UFS 2.0 flash paměti s více než štědrou kapacitou 256 GB. Další část zprávy zároveň prozradila, že masová výroba již byla zahájena, což nepřímo naznačuje dostatek objednávek od klíčových odběratelů, mezi nimiž dominuje Apple.
Moduly se pyšní doslova fantastickými rychlostmi, které údajně překonávají klasická SSD s rozhraním SATA. Paměťové moduly těží z nové generace V-NAND čipů, jejichž výkon je v porovnání se starší technologií více než dvojnásobný. Paměť zvládne za optimálních podmínek zpracovat až 40 000 vstupních a 45 000 výstupních operací za vteřinu. V praxi to znamená maximální rychlost přenosu až 850 MB/s při čtení a 250 MB/s při zápisu dat.
Samsung s novinkou odpovídá na narůstající datové nároky. Například 5GB video ve Full HD rozlišení (zhruba 5 GB) půjde do zařízení s podporou USB 3.0 zkopírovat za pouhých 12 vteřin. Další zajímavostí jsou proporce, nové paměti jsou menší než klasické microSD karty. Díky partnerství se společností Apple je jasné, že kromě smartphonů z rodiny Galaxy se paměťových modulů dočkáme v chystaném iPhone 7, jehož premiéra je tradičně očekávána v září letošního roku.
